IT之家9月12日音讯，三星电子本日书记调教学生妹，三星首款1太比特四层单位（QLC）第九代V-NAND已认真开动量产，而1TbTLC产物已于本年4月开动量产。

据先容，三星QLC第九代V-NAND达成了多项本事冲破，IT之家汇总如下：

通说念孔蚀刻本事（ChannelHoleEtching），大约基于双堆栈架构达成面前业内最高的单位层数。三星行使在TCL第九代V-NAND中累积的本事教会，优化了存储单位面积及外围电路，位密度比上一代QLCV-NAND提高约86%。

预设模具（DesignedMold）本事，大约休养标准存储单位的字线（WL）间距，确保合并单位层内和单位层之间的存储单位的特点保抓一致（V-NAND层数越多，存储单位特点越弥留）；接收预设模具本事使得数据保存性能比较之前的版块提高约20%，增强可靠性。

估计轮番（PredictiveProgram）本事，大约估计并标准存储单位的景况变化，尽可能减少无须要的操作，让三星QLC第九代V-NAND的写入性能翻倍，I/O速率提高60%。

低功耗缱绻（Low-PowerDesign）本事，使数据读取功耗约辩别下落了约30%和50%。该本事裁汰了驱动NAND存储单位所需的电压，大约仅感测必要的位线（BL），从而尽可能减少功耗。

推特 拳交

此外，三星还暗示将扩大QLC第九代V-NAND的应用界限，从品牌耗尽类产物开动，推广到迁徙通用闪存（UFS）、个东说念主电脑和奇迹器SSD，为包括云奇迹提供商在内的客户提供奇迹。

调教学生妹

---